11 сентября текущего года Россия приступила к первому в мире эксперименту «Экран-М» по выращиванию полупроводников в условиях космоса. Это событие, оставшееся почти незамеченным на фоне «рутинной» доставки грузов кораблем «Прогресс», открывает путь к принципиально новому этапу освоения околоземного пространства – его индустриализации.Суть революционной технологии заключается в использовании природного космического вакуума для производства полупроводников высочайшего качества. На Земле создание подобных условий требует дорогостоящего и сложного оборудования.



Впрочем, и в космосе это не так просто. Абсолютно чистый вакуум встречается на высоких орбитах. Однако отправлять туда оборудование – дорого. На низких же орбитах, где расположена МКС, условия являются не столь идеальными. Впрочем, российские ученые из Института физики полупроводников РАН предложили оригинальное решение, основанное на эффекте, известном со времен Аристотеля: движущийся в космосе объект создает за собой область разрежения. МКС, летящая по орбите, естественным образом формирует за собой сверхчистое пространство. Именно поэтому установка «Экран-М» размещена именно в этой зоне, будучи ещё и дополнительно защищена специальным щитом.Стоит отметить, что перспективы проекта впечатляющи. Начав с производства арсенида галлия для высокоэффективных солнечных батарей, можно наладить орбитальное сервисное обслуживание спутников, значительно продлевая их жизненный цикл. В будущем это позволит создавать и собирать элементы электроники прямо в космосе, что экономически выгоднее их доставки с Земли. Кроме того, вынос вредных производств за пределы планеты решает серьезные экологические проблемы.Естественно, на данном этапе эксперимент носит испытательный характер, но в случае успеха под подобные фабрики может быть отведен целый модуль на строящейся отечественной орбитальной станции (РОСС). Этот шаг знаменует начало перехода от научных исследований к практической промышленной деятельности в космосе, где наша страна в настоящее время является бесспорным лидером.

Источник